车载用125℃工作SPI串行EEPROMS-25A010A/020A/040A  (1K/2K/4K位)

描述：

用于车载的、可在高温环境下工作的、高速、宽工作电压范围的 SPI 串行 E2PROM。容量为 1K，2K，4K 位，构成是128 字×8 位，256 ×8 位，512 字×8 位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

• 工作电压范围：

读出时： 2.5 V ~ 5.5 V

写入时： 2.5 V ~ 5.5 V

• 工作频率：6.5 MHz (最大值)

• 写入时间：4.0 ms (最大值)

• 支持SPI模式 (0, 0) & (1, 1)

• 页写入功能：16 字节 / 页

• 顺序读出功能

• 写入保护功能：软件、硬件

• 保护空间：25%, 50%, 100%

• 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

• 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

• 电源电压低时的禁止写入功能

• CMOS施密特输入 (CS , SCK, SI, WP , HOLD)

• 重写次数：

106次 / 字^*1 (Ta = +25°C)

5 × 105次 / 字^*1 (Ta = +125°C)

• 数据保存期：

100年 (Ta = +25°C)

50年 (Ta = +125°C)

• 存储器容量：

S-25A010A： 1K位

S-25A020A： 2K位

S-25A040A： 4K位

• 首次出厂时数据：FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

• 老化测试规格：晶元级老化测试

• 工作温度范围：Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅

• Sn 100%

• 无卤素

• 应对 AEC-Q100 标准^*2 

*1. 每个地址 (字 :8 位)

*2. 详情请与代理商联系

车载用125℃工作SPI 串行EEPROMS-25A080A/160A/320A, S-25A080B/160B/320B (8K/16K/32K位)

描述：

用于车载的、可在高温环境下工作的、高速、宽工作电压范围的 SPI 串行 E2PROM。容量为 8 K，16 K，32 K 位，构成是 1024 字×8 位，2048×8 位，4096 字×8 位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

• 工作电压范围：

读出时 : 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 : 2.5 V ~ 5.5 V

• 工作频率 : 6.5 MHz (最大值)

• 写入时间：

S-25A080A/160A/320A : 4.0 ms (最大值)

S-25A080B/160B/320B : 5.0 ms (最大值)

• 支持 SPI 模式 (0, 0) & (1, 1)

• 页写入功能 : 32 节 / 页

• 顺序读出功能

• 写入保护功能 : 软件、硬件

• 保护领域 : 25%, 50%, 100%

• 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

• 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

• 电源电压低时的禁止写入功能

• CMOS 施密特输入 ( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

• 重写次数^*1

S-25A080A/160A/320A: 10⁶次/字^*2 (Ta=+25℃)，5×10⁵ 次/字^*2 (Ta =+125℃)

S-25A080B/160B/320B: 10⁶次/字^*2 (Ta=+25℃)，3×105 次/字^*2 (Ta =+125℃)

• 数据保存期 : 

100 年 (Ta=+25℃)

50 年 (Ta=+125℃)

• 存储器容量：

S-25A080A, S-25A080B : 8 K 位

S-25A160A, S-25A160B : 16 K 位

S-25A320A, S-25A320B : 32 K 位

• 首次出厂时数据 : FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 老化测试规格 : 晶元级老化测试

• 工作温度范围 : Ta =-40℃ ~ +125℃

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素^*3

• 应对 AEC-Q100 标准^*4

*1. 详情请参阅 "■重写次数"。

*2. 每个地址 (字 : 8 位)

*3. 详情请参阅 "■产品型号的构成"。

*4. 详情请与本公司营业部门联系。

车载用 125℃ 工作 SPI 串行EEPROM S-25A640A/S-25A640B (64K位)

描述：

用于车载的、可在高温环境下工作的、高速、宽工作电压范围的 SPI 串行EEPROM。容量为 64 K位，构成是 8192 字 × 8 位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

• 工作电压范围：

 读出时 : 2.5 V ~ 5.5 V

 写入时 : 2.5 V ~ 5.5 V

• 工作频率：

 S-25A640A : 5.0 MHz (最大值)

 S-25A640B : 6.5 MHz (最大值)

• 写入时间：

 S-25A640A : 4.0 ms (最大值)

 S-25A640B : 5.0 ms (最大值)

• 支持 SPI 模式 (0, 0) & (1, 1)

• 页写入功能 : 32 节 / 页

• 顺序读出功能

• 写入保护功能 : 软件、硬件

• 保护领域 : 25%, 50%, 100%

• 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

• 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

• 电源电压低时的禁止写入功能

• CMOS 施密特输入 ( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

• 重写次数^*1

 S-25A640A : 106 次 / 字^*2 (Ta = +25℃)，5 × 105 次 / 字^*2 (Ta = +125℃)

 S-25A640B : 106 次 / 字^*2 (Ta = +25℃)，3 × 105 次 / 字^*2 (Ta = +125℃)

• 数据保存期 : 

 100 年 (Ta = +25℃)

 50 年 (Ta = +125℃)

• 存储器容量 : 64 K位

• 首次出厂时数据 : FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

• 老化测试规格 : 晶元级老化测试

• 工作温度范围 : Ta = -40℃ ~ +125℃

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素^*3

• 应对 AEC-Q100 标准^*4

*1. 详情请参阅 "■重写次数"。

*2. 每个地址 (字 : 8 位)

*3. 详情请参阅 "■产品型号的构成"。

*4. 详情请与本公司营业部门联系。

车载用工作温度105℃ 3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C H系列

描述：

高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位，构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出，这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。

特点：

• 存储器容量

 S-93C46C : 1 K位 (64字 × 16位)

 S-93C56C : 2 K位 (128字 × 16位)

 S-93C66C : 4 K位 (256字 × 16位)

 S-93C76C : 8 K位 (512字 × 16位)

 S-93C86C : 16 K位 (1024字 × 16位)

• 工作电压范围

 读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

 写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

• 工作频率 : 2.0 MHz (最大值)

• 写入时间 : 4.0 ms (最大值)

• 顺序读出功能

• 电源电压低时禁止写入功能

• 指令误识别的防止写入功能

• 重写次数 : 106次 / 字^*1 (Ta = +85°C)

 8 × 105次 / 字*1 (Ta = +105°C)

• 数据保存期 : 100年 (Ta = +25°C)

 50年 (Ta = +105°C)

• 首次出厂时数据 : FFFFh

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +105°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准^*2

*1. 每个地址 (字 : 16位)

*2. 详情请与代理商联系。

车载用工作温度125℃ 3线串行EEPROM S-93A46B/56B/66B/76B/86B

描述：用于车载的、可高温工作的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位，构成分别为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出，这时的地址会按每16位自动地增量。 通讯方式为Microwire方式。

特点：

• 存储器容量

 S-93A46B : 1 K位 (64字 × 16位)

 S-93A56B : 2 K位 (128字 × 16位)

 S-93A66B : 4 K位 (256字 × 16位)

 S-93A76B : 8 K位 (512字 × 16位)

 S-93A86B : 16 K位 (1024字 × 16位)

• 工作电压范围

 读出时 : 2.5 V ~ 5.5 V

 写入时 : 2.5 V ~ 5.5 V

• 工作频率 : 2.0 MHz (最大值)

• 写入时间 : 4.0 ms (最大值)

• 顺序读出功能

• CMOS施密特输入 (CS, SK, DI)

• 电源电压低时禁止写入功能

• 指令误识别的防止写入功能

• 重写次数 : 106次 / 字^*1 (Ta = +85°C)

 8 × 105次 / 字^*1 (Ta = +105°C)

 5 × 105次 / 字^*1 (Ta = +125°C)

• 数据保存期 : 100年 (Ta = +25°C)

 50年 (Ta = +125°C)

• 首次出厂时数据 : FFFFh

• 晶圆级老化测试 (标准规格)

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准^*2

*1. 每个地址 (字 : 16位)

*2. 详情请与代理商联系。

车载用工作温度150℃ 3 线串行EEPROM S-93S46A/56A/66A

描述：

用于车载的、可高温工作的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位，构成分别为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位。可以连续读出，这时的地址会按每16位自动地增量。通讯方式为Microwire方式。

 特点：

• 工作电压范围

 读出时 : 4.0 V ~ 5.5 V (Ta = −40°C ~ +150°C)

 写入时 : 4.0 V ~ 5.5 V (Ta = −40°C ~ +150°C)

• 工作频率 : 1 MHz

 4.5 V ~ 5.5 V (Ta = −40°C ~ +150°C)

• 写入时间 : 10.0 ms (最大值)

• 可以连续读出

• 电源电压低时禁止写入功能

• 指令误识别的防止写入功能

• CMOS施密特输入 (CS, SK)

• 重写次数^*1 : 2 × 105次 / 字^*2 (Ta = +150°C)

• 数据保存期 : 100年 (Ta = +25°C)

 50年 (Ta = +125°C)

 20年 (Ta = +150°C)

• 存储器容量

 S-93S46A : 1 K位

 S-93S56A : 2 K位

 S-93S66A : 4 K位

• 首次出厂时数据 : FFFFh

• 老化测试规格 : 晶圆级老化测试

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +150°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准^*3

*1. 详情请参阅 "■重写次数"。

*2. 每个地址 (字 : 16位)

*3. 详情请与代理商联系。

车载用 工作温度105℃ 2线串行EEPROM S-24C08C H系列

描述：

S-24C08C H系列是用于车载的、可高温工作的2线串行E²PROM。容量为8 K位，构成为1024字×8位。可进行页写入和顺序读出。

特点：

• 工作电压范围 : 

读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

• 页写入功能 : 16字节 / 页

• 顺序读出功能

• 工作频率 : 400 kHz (VCC = 2.5 V ~ 5.5 V)

• 写入时间 : 5.0 ms (最大值)

• 噪声除去 : 备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

• 低电源电压时禁止写入功能

• 重写次数 : 

10⁶次 / 字^*1 (Ta = +25℃)

3×10⁵次 / 字^*1 (Ta = +85℃)

2×10⁵次 / 字^*1 (Ta = +105℃)

• 数据保存期 :

100年 (Ta = +25℃)

30年 (Ta = +85℃)

25年 (Ta = +105℃)

• 存储器容量 : 8 K位

• 备有写入保护功能 : 100%

• 首次出厂时数据 : FFh

• 工作温度范围 : Ta = -40℃ ~ +105℃

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准^*2

*1. 每个地址 (字 : 8位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。

车载用 工作温度105℃ 2线串行EEPROM S-24C16C H系列

描述：

S-24C16C H系列是用于车载的、可高温工作的2线串行E²PROM。

容量为16 K位，构成为2048字×8位。可进行页写入和顺序读出。

特点：

• 工作电压范围 : 

读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

• 页写入功能 : 16字节 / 页

• 顺序读出功能

• 工作频率 : 400 kHz (V_CC = 2.5 V ~ 5.5 V)

• 写入时间 : 5.0 ms (最大值)

• 噪声除去 : 备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

• 低电源电压时禁止写入功能

• 重写次数 : 

10⁶次 / 字^*1 (Ta = +25℃)

3×10⁵次 / 字^*1 (Ta = +85℃)

2×10⁵次 / 字^*1 (Ta = +105℃)

• 数据保存期 :

100年 (Ta = +25℃)

30年 (Ta = +85℃)

25年 (Ta = +105℃)

• 存储器容量 : 8 K位

• 备有写入保护功能 : 100%

• 首次出厂时数据 : FFh

• 工作温度范围 : Ta = -40℃ ~ +105℃

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准^*2

*1. 每个地址 (字 : 8位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。

车载用 工作温度105℃ 2线串行EEPROM S-24C32C/64C H系列（32K/64K位）

描述：

S-24C32C/64C H系列是用于车载的、可高温工作的2线串行E²PROM。容量为32 K位、64 K位，构成为4096字×8位、8192字×8位。可进行页写入和顺序读出。

特点：

• 工作电压范围 : 

读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

• 页写入功能 : 32字节 / 页

• 顺序读出功能

• 工作频率 : 400 kHz (V_CC = 2.5 V ~ 5.5 V)

• 写入时间 : 5.0 ms (最大值)

• 噪声除去 : 备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

• 低电源电压时禁止写入功能

• 重写次数 : 

10⁶次 / 字^*1 (Ta = +25℃)

3×10⁵次 / 字^*1 (Ta = +85℃)

2×10⁵次 / 字^*1 (Ta = +105℃)

• 数据保存期 :

100年 (Ta = +25℃)

30年 (Ta = +85℃)

25年 (Ta = +105℃)

• 存储器容量 :

S-24C32C    32 K位

S-24C64C    64 K位

• 备有写入保护功能 : 100%

• 首次出厂时数据 : FFh

• 工作温度范围 : Ta = -40℃ ~ +105℃

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准^*2

*1. 每个地址 (字 : 8位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。

车载用 工作温度105℃ 2线串行EEPROM S-24C128C H系列（128K位）

描述：

S-24C128C H系列是用于车载的、可高温工作的2线串行E2PROM。

容量为128 K位，构成为16384字×8位。可进行页写入和顺序读出。

特点：

• 工作电压范围 : 读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

• 页写入功能 : 64字节 / 页

• 顺序读出功能

• 工作频率 : 400 kHz (V_CC = 2.5 V ~ 5.5 V)

• 写入时间 : 5.0 ms (最大值)

• 噪声除去 : 备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

• 低电源电压时禁止写入功能

• 重写次数 : 

10⁶次 / 字^*1 (Ta = +25°C)

3 × 10⁵次 / 字^*1 (Ta = +85°C)

2 × 10⁵次 / 字^*1 (Ta = +105°C)

• 数据保存期 : 

100年 (Ta = +25°C)

30年 (Ta = +85°C)

25年 (Ta = +105°C)

• 存储器容量 : 128 K位

• 备有写入保护功能 : 100%

• 首次出厂时数据 : FFh

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +105°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准^*2

*1. 每个地址 (字: 8 位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。

车载用 工作温度105℃ SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A H系列（1K/2K/4K位）

描述：

用于车载的、可高温工作的SPI串行E2PROM。容量为1K、2K、4K位，构成是128×8位、256×8位、512×8位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

· 工作电压范围： 

读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

· 工作频率： 6.5 MHz（4.5 V ~ 5.5 V）

· 写入时间： 4.0 ms (最大值)

· 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

· 页写入功能： 16字节/页

· 顺序读出功能

· 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

· 写入保护功能： 软件、硬件

 保护领域： 25％, 50％, 100％

· 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

· 电源电压低时禁止写入功能

· CMOS施密特输入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

· 重写次数： 

10⁶次/字^*1（Ta = +85℃）

8 × 10⁵次/字^*1（Ta = +105℃）

· 数据保存期： 

100年（Ta = +25℃）

50年（Ta = +105℃）

· 存储器容量： 

S-25C010A     1K位

S-25C020A     2K位

S-25C040A     4K位

· 首次出厂时数据： FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

· 工作温度范围： Ta = -40℃~ +105℃

· 无铅 (Sn 100%)、无卤素

· 符合AEC-Q100标准^*2

*1. 每个地址 (字：8 位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。

车载用 工作温度105℃ SPI 串行EEPROM S-25C080A H系列(8K位)

描述：

S-25C080A H系列是用于车载的、可高温工作的SPI串行E²PROM。容量为8 K位，构成是1024字×8位。 可进行页写入、顺序读出。

特点：

· 工作电压范围： 

读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

· 工作频率： 6.5 MHz（4.5 V ~ 5.5 V）

· 写入时间： 4.0 ms (最大值)

· 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

· 页写入功能： 32字节/页

· 顺序读出功能

· 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

· 写入保护功能： 软件、硬件

 保护领域： 25%, 50%, 100%

· 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

· 电源电压低时的禁止写入功能

· CMOS施密特输入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

· 重写次数： 

10⁶次/字^*1（Ta = +85°C）

8 × 10⁵次/字^*1（Ta = +105°C）

· 数据保存期： 

100年（Ta = +25°C）

 50年（Ta = +105°C）

· 存储器容量： 8 K位

· 首次出厂时数据： FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

· 工作温度范围： Ta = −40°C ~ +105°C

· 无铅 (Sn 100%)、无卤素

· 符合AEC-Q100标准^*2

*1. 每个地址 (字：8 位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。

车载用工作温度105℃ SPI 串行EEPROM S-25C160A H系列(16K位)

描述：

S-25C160A H系列是用于车载的、可高温工作的SPI串行E²PROM。容量为16 K位，构成是2048字×8位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

· 工作电压范围： 

读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

· 工作频率： 5.0 MHz（2.5 V ~ 5.5 V）

· 写入时间： 5.0 ms (最大值)

· 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

· 页写入功能： 32字节/页

· 顺序读出功能

· 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

· 写入保护功能： 软件、硬件

 保护领域： 25%, 50%, 100%

· 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

· 电源电压低时的禁止写入功能

· CMOS施密特输入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

· 重写次数： 

10⁶次/字^*1（Ta = +25℃）

3 × 10⁵次/字^*1（Ta = +85℃）

2 × 10⁵次/字^*1（Ta = +105℃）

· 数据保存期： 

100年（Ta = +25℃）

30年（Ta = +85℃）

25年（Ta = +105℃）

· 存储器容量： 16 K位

· 首次出厂时数据： FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

· 工作温度范围： Ta = -40℃ ~ +105℃

· 无铅 (Sn 100%)、无卤素

· 符合AEC-Q100标准^*2

*1. 每个地址 (字：8 位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。

车载用 工作温度105℃ SPI 串行EEPROM S-25C128A H系列(128K位)

描述：

S-25C128A H系列是用于车载的、可高温工作的SPI串行E²PROM。容量为128 K位，构成是16384字×8位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

· 工作电压范围： 

读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

· 工作频率： 5.0 MHz（2.5 V ~ 5.5 V）

· 写入时间： 5.0 ms (最大值)

· 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

· 页写入功能： 64字节/页

· 顺序读出功能

· 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

· 写入保护功能： 软件、硬件

 保护领域： 25%, 50%, 100%

· 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

· 电源电压低时的禁止写入功能

· CMOS施密特输入（ CS , SCK, SI, WP , HOLD ）

· 重写次数： 

10⁶次/字^*1（Ta = +25°C）

3×10⁵次/字^*1（Ta = +85°C）

2×10⁵次/字^*1（Ta = +105°C）

· 数据保存期： 

100年（Ta = +25°C）

30年（Ta = +85°C）

25年（Ta = +105°C）

· 存储器容量： 128 K位

· 首次出厂时数据： FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

· 工作温度范围： Ta = −40°C ~ +105°C

· 无铅 (Sn 100%)、无卤素

· 符合AEC-Q100标准^*2

*1. 每个地址（字：8 位）

*2. 详情请与本公司营业部门联系。

车载用 工作温度125°C SPI 串行EEPROM S-25A128B

描述：

本IC 是用于车载的、可在高温环境下工作的、高速、宽工作电压范围的 SPI 串行EEPROM。

容量为128 K 位，构成是16384 字 × 8 位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

读出时 : 2.5 V ~ 5.5 V 

写入时 : 2.5 V ~ 5.5 V 

• 工作频率 : 6.5 MHz (最大值) 

• 写入时间 : 5.0 ms (最大值) 

• 支持 SPI 模式 (0, 0) & (1, 1) 

• 页写入功能 : 64 节 / 页

• 顺序读出功能

• 写入保护功能 : 

软件、硬件

保护领域 : 25%, 50%, 100% 

• 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

• 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

• 电源电压低时的禁止写入功能

• CMOS 施密特输入 ( CS , SCK, SI, WP , HOLD ) 

• 重写次数^*1 : 

10⁶ 次 / 字^*2 (Ta = +25℃) 

3 × 10⁵ 次 / 字^*2 (Ta = +125℃) 

• 数据保存期 : 

100 年 (Ta = +25℃) 

50 年 (Ta = +125℃) 

• 存储器容量 : 128 K 位

• 首次出厂时数据 : FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0 

• 老化测试规格 : 晶元级老化测试

• 工作温度范围 : Ta = ﹣40℃ ~ +125℃ 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素^*3 

• 应对 AEC-Q100 标准^*4

*1. 详情请参阅 "■ 重写次数"。

*2. 每个地址 (字 : 8 位) 

*3. 详情请参阅 "■ 产品型号的构成"。 

*4. 详情请与本公司营业部门联系

车载用 工作温度125°C SPI 串行EEPROM S-25A256B

描述：

本IC 是用于车载的、可在高温环境下工作的、高速、宽工作电压范围的 SPI 串行EEPROM。

容量为256 K 位，构成是32768 字 × 8 位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

• 工作电压范围

读出时 : 2.5 V ~ 5.5 V 

写入时 : 2.5 V ~ 5.5 V 

• 工作频率 : 5.0 MHz (最大值) 

• 写入时间 : 5.0 ms (最大值) 

• 支持 SPI 模式 (0, 0) & (1, 1) 

• 页写入功能 : 64 节 / 页

• 读出功能

• 写入保护功能 : 

软件、硬件

保护领域 : 25%, 50%, 100% 

• 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

• 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

• 电源电压低时的禁止写入功能

• CMOS 施密特输入 ( CS , SCK, SI, WP , HOLD ) 

• 重写次数^*1 :

10⁶ 次 / 字^*2 (Ta = +25℃) 

3 × 10⁵ 次 / 字^*2 (Ta = +125℃) 

• 数据保存期 : 

100 年 (Ta = +25℃) 

50 年 (Ta = +125℃) 

• 存储器容量 : 256 K 位

• 首次出厂时数据 : FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0 

• 老化测试规格 : 晶元级老化测试

• 工作温度范围 : Ta = - 40℃ ~ +125℃ 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素^*3 

• 应对 AEC-Q100 标准^*4

*1. 详情请参阅 "■重写次数"。

*2. 每个地址 (字 : 8 位) 

*3. 详情请参阅 "■产品型号的构成"。 

*4. 详情请与本公司营业部门联系。

S-25C320A/640A H系列是用于车载的、可高温工作的SPI串行E²PROM。容量为32 K位、64 K位，构成为4096字×8位、8192字×8位。可进行页写入、顺序读出。

特点：

· 工作电压范围： 

读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

· 工作频率： 5.0 MHz（2.5 V ~ 5.5 V）

· 写入时间： 5.0 ms (最大值)

· 支持SPI模式（0, 0）&（1, 1）

· 页写入功能： 32字节/页

· 顺序读出功能

· 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

· 写入保护功能： 软件、硬件

 保护领域： 25%, 50%, 100%

· 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

· 电源电压低时的禁止写入功能

· CMOS施密特输入 （CS , SCK, SI, WP , HOLD）

· 重写次数： 

 10⁶次/字^*1（Ta = -25℃）

 3×10⁵次/字^*1（Ta = +85℃）

 2×10⁵次/字^*1（Ta = +105℃）

· 数据保存期： 

 100年（Ta = -25℃）

 30年（Ta = +85℃）

 25年（Ta = +105℃）

· 存储器容量： 

 S-25C320A     32 K位

 S-25C640A     64 K位

· 首次出厂时数据： FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

· 工作温度范围： Ta = -40℃ ~ +105℃

· 无铅 (Sn 100%)、无卤素

· 符合AEC-Q100标准^*2

*1. 每个地址 (字：8 位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。